CuInP2S6的压电、铁电与畴结构调控

报告题目：CuInP2S6的压电、铁电与畴结构调控

报告人：王学云副教授   北京理工大学

报告时间：2023年10月27日16点

报告地点：物科楼101

报告邀请人：游陆

报告摘要：范德瓦尔斯铁电材料CuInP2S6 （CIPS）因其独特的力学特性、解离特性、四势阱、负压电效应、负电容等新奇现象而引起了广泛关注。这次报告中，我将介绍CIPS体系在压电性、铁电性、以及丰富畴结构的构筑与调控方面的进展。我们首次获得了CIPS的单层样品，并在单层CIPS中发现了5.12 pm/V的有效d33。进而其次我还将讨论厚层CIPS中存在的面内极化对于畴结构的影响，并阐述面内极化的存在对于构筑准同型相界，以及丰富畴结构的关键作用。最后，我将介绍如何突出横向挠曲电效应，并通过这个技术实现自支撑的CIPS中大范围、超低探针压力下的铁电畴翻转。

报告人简介：王学云，北京理工大学长聘副教授，博士生导师。2015年博士毕业美国Rutgers, the State University of New Jersey物理系。主要从事先进功能材料的单晶生长，以及基于扫描探针技术的功能性畴与畴壁的研究。发表SCI论文120余篇，引用3200余次，其中以一作/通讯作者在Nature Physics, Nature Communications, Physical Review Letters, Advanced Materials等国际顶级学术期刊发表学术论文。主持国家自然科学基金3项，以子课题负责人身份参与国家重点研发计划青年项目1项。担任中国仪表功能材料学会电子元器件关键材料与技术专业委员会委员，中国期刊Journal of Advanced Dielectrics青年编委等职务。获得2021年度“国瓷新材料奖”学术新秀奖，2016年Richard J. Plano优秀博士毕业论文奖等奖项。